收藏本站
IXFH110N25T
Fig. 13. Resistive Turn-on
Fig. 14. Resistive Turn-on
30
Rise Time vs. Junction Temperature
32
Rise Time vs. Drain Current
28
R G = 2 ? , V GS = 15V
V DS = 125V
30
28
R G = 2 ? , V GS = 15V
V DS = 125V
T J = 25oC
26
26
24
I
D
= 110A
24
I
D
= 55A
22
T J = 125oC
22
20
20
18
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
50
31
38
74
45
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 15V
V DS = 125V
29
34
t f t d(off) - - - -
R G = 2 ? , V GS = 15V
V DS = 125V
70
40
I
D
= 110A, 55A
27
30
I D = 55A
66
35
25
26
62
I D = 110A
30
25
20
23
21
19
22
18
14
58
54
50
2
3
4
5
6
7
8
9
10
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
32
100
110
240
30
28
t f t d(off ) - - - -
R G = 2 ? , V GS = 15V
V DS = 125V
T J = 25oC
90
80
90
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 15V
V DS = 125V
I D = 55A, 110A
200
70
160
26
70
T J = 125oC
50
120
24
T J = 25oC
60
22
50
30
80
T J = 125oC
20
40
10
40
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I D - Amperes
? 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
R G - Ohms
IXYS REF: F_110N25T(8W)5-14-12-B
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXFH11N80 MOSFET N-CH 800V 11A TO-247AD
IXFH120N25T MOSFET N-CH 250V 120A TO-247
IXFH12N100F MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD
IXFH12N100P MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
IXFH12N120 MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
IXFH12N80P MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
IXFH12N90P MOSFET N-CH 900V 12A TO-247
IXFH12N90 MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD
相关代理商/技术参数
IXFH11N100 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH11N60 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH11N80 功能描述:MOSFET 11 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH11N90 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH120N15P 功能描述:MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH120N20P 功能描述:MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH120N20P_10 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFH120N25T 功能描述:MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube